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2SJ687
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
15
V GS = ? 2.5 V
10
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
C oss
5
0
? 4.5 V
I D = ? 10 A
Pulsed
1000
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
-25
-5
t d(off)
t f
-20
V DD = ? 16 V
? 10 V
? 4 V
-4
100
t r
-15
V GS
-3
-10
-2
10
V DD = ? 10 V
V GS = ? 4.5 V
R G = 3 Ω
t d(on)
-5
0
V DS
I D = ? 20 A
-1
0
-0.1
-1
-10
-100
0
10
20
30
40
50
60
-100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
10000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-10
? 4.5 V
? 2.5 V
V GS = 0 V
1000
-1
100
-0.1
di/dt = ? 100 A/ μ s
-0.01
Pulsed
10
V GS = 0 V
0
-0.5
-1
-1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18719EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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